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Yb3+/Tm3+共掺杂BST铁电厚膜的制备及其上转换发光?

汪竞阳 , 章天金 , 屈少华

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.03.032

利用丝网印刷工艺制备出稀土 Yb3+/Tm3+共掺杂的 Ba0.8 Sr0.2 TiO3铁电陶瓷厚膜,利用 XRD、SEM、EDS、Raman和荧光光谱仪研究了稀土掺杂对厚膜微结构和发光性能的影响.实验发现,在低掺杂量时Yb3+、Tm3+离子在BST晶格中首先替代B位离子,高掺杂量时则同时占据 A位和B位离子.掺杂后的厚膜仍表现为典型的铁电四方相结构.在800 nm近红外激光激发下,共掺杂的 BST 厚膜中的 Tm3+离子通过Yb3+离子的敏化作用在468与533 nm处实现了间接上转换蓝色与绿色荧光输出,分别对应于Tm3+离子的1 G4→3 H6跃迁和1 D2→3 F4跃迁.468 nm蓝色荧光强度随着 Yb3+、Tm3+离子比的增加先增强后减弱,在 Yb3+、Tm3+离子共掺比为2∶1达到最大,并对上转换发光的机理进行了分析.

关键词: BST 铁电厚膜 , 稀土离子 , 共掺杂 , 上转换发光

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